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磨削碳化硅生产技术2014

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磨削碳化硅生产技术2014

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碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究 - 百度学术

碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究. 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛 碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究 - 百度学术碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究. 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛

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碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网

6 天之前  摘要. 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网6 天之前  摘要. 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热

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碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究 - 百度学术

碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究. 来自 知网. 喜欢 0. 阅读量:. 272. 作者:. 吴重军. 摘要:. 高速加工是20世纪70年代在欧洲和美国兴起的一种加工技术,它可以根据 碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究 - 百度学术碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究. 来自 知网. 喜欢 0. 阅读量:. 272. 作者:. 吴重军. 摘要:. 高速加工是20世纪70年代在欧洲和美国兴起的一种加工技术,它可以根据

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碳化硅菲涅尔微结构的激光-超精密磨削工艺技术基础 - 百度学术

围绕碳化硅菲涅尔微结构这种典型硬脆复杂零件的高效高精度加工目标,本文开展了碳化硅的激光加工机理,菲涅尔微结构的激光成型工艺,菲涅尔微结构磨削波纹度等方面的理论和实 碳化硅菲涅尔微结构的激光-超精密磨削工艺技术基础 - 百度学术围绕碳化硅菲涅尔微结构这种典型硬脆复杂零件的高效高精度加工目标,本文开展了碳化硅的激光加工机理,菲涅尔微结构的激光成型工艺,菲涅尔微结构磨削波纹度等方面的理论和实

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碳化硅陶瓷的激光改性磨削

2021年10月29日  摘要: 为了实现碳化硅陶瓷的高精加工, 激光辐照被引入磨削加工中。本文以碳化硅陶瓷为研究对象, 采用激光改性磨削工艺, 利用激光辐照对碳化硅陶瓷进行改性 碳化硅陶瓷的激光改性磨削2021年10月29日  摘要: 为了实现碳化硅陶瓷的高精加工, 激光辐照被引入磨削加工中。本文以碳化硅陶瓷为研究对象, 采用激光改性磨削工艺, 利用激光辐照对碳化硅陶瓷进行改性

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碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势

2024年4月17日  摘要: 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势2024年4月17日  摘要: 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下

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纳米磨削过程中不同晶粒切深下4H-SiC塑性变形机制的原子理解

2023年4月28日  开发4H-SiC晶圆低成本高效加工技术,需要深入探究磨粒去除4H-SiC的损伤演化机理。 采用分子动力学 (MD) 模拟系统研究了单晶 4H-SiC 纳米研磨的塑性变形机 纳米磨削过程中不同晶粒切深下4H-SiC塑性变形机制的原子理解2023年4月28日  开发4H-SiC晶圆低成本高效加工技术,需要深入探究磨粒去除4H-SiC的损伤演化机理。 采用分子动力学 (MD) 模拟系统研究了单晶 4H-SiC 纳米研磨的塑性变形机

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(PDF) 磨削速度对碳化硅陶瓷磨削损伤影响机制研究 戴剑博

2022年4月10日  通过单颗磨粒磨削 SiC 陶瓷试验,分析了磨削速度对 SiC 陶瓷磨削表面形貌、磨削亚表面裂纹损伤深度、 磨削力和磨削比能的影响规律。 (PDF) 磨削速度对碳化硅陶瓷磨削损伤影响机制研究 戴剑博2022年4月10日  通过单颗磨粒磨削 SiC 陶瓷试验,分析了磨削速度对 SiC 陶瓷磨削表面形貌、磨削亚表面裂纹损伤深度、 磨削力和磨削比能的影响规律。

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碳化硅砂轮概述

什么是碳化硅砂轮?. 碳化硅 砂轮 是一种带有中心通孔的粘结磨具。. 其主要成分是碳化硅。. 作为使用最广泛、适用范围最广的磨料产品,碳化硅砂轮可用于不同工件表面的磨削、抛光和修整。. 由于具有高硬度、耐磨性和耐热性,碳化硅砂轮被广泛应用于金属 ... 碳化硅砂轮概述什么是碳化硅砂轮?. 碳化硅 砂轮 是一种带有中心通孔的粘结磨具。. 其主要成分是碳化硅。. 作为使用最广泛、适用范围最广的磨料产品,碳化硅砂轮可用于不同工件表面的磨削、抛光和修整。. 由于具有高硬度、耐磨性和耐热性,碳化硅砂轮被广泛应用于金属 ...

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第三代半导体制造的工艺难点、应用前景和产业链_科

2020年12月2日  碳化硅生长炉的技术指标和工艺过程中的籽晶制备、生长压力控制、温度场分布控制等因素,决定了单晶质量和主要成本。 PVT法生长的SiCk单晶一般是短圆柱状,柱状高度(或长度)在20 mm以内,需要通过 第三代半导体制造的工艺难点、应用前景和产业链_科 2020年12月2日  碳化硅生长炉的技术指标和工艺过程中的籽晶制备、生长压力控制、温度场分布控制等因素,决定了单晶质量和主要成本。 PVT法生长的SiCk单晶一般是短圆柱状,柱状高度(或长度)在20 mm以内,需要通过

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碳化硅器件的生产流程,碳化硅有哪些优劣势? - 模拟技术 ...

2023年10月27日  碳化硅器件的生产流程,碳化硅有哪些优劣势?-中游器件制造环节,不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。当然碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发,以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。 碳化硅器件的生产流程,碳化硅有哪些优劣势? - 模拟技术 ...2023年10月27日  碳化硅器件的生产流程,碳化硅有哪些优劣势?-中游器件制造环节,不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。当然碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发,以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。

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碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势

2024年4月17日  碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点.本文综述了碳化硅衬底机械磨抛加工技术和化学反应磨抛加工技术的研究进展,对比各类磨抛技术的特点,指出碳化硅衬底磨抛加工 ... 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势2024年4月17日  碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点.本文综述了碳化硅衬底机械磨抛加工技术和化学反应磨抛加工技术的研究进展,对比各类磨抛技术的特点,指出碳化硅衬底磨抛加工 ...

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磨削碳化硅生产技术

2020年5月20日  碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 - 知乎 2019-9-2 由于碳化硅材料属于高硬脆性材料,需要采用专用的研磨液,碳化硅研磨的主要技术难点在于高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制,磨削后晶圆表面出现损伤、微裂纹和残余应力,碳化硅晶圆减薄后会产生比碳化硅晶圆更大的翘曲现象。 磨削碳化硅生产技术2020年5月20日  碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 - 知乎 2019-9-2 由于碳化硅材料属于高硬脆性材料,需要采用专用的研磨液,碳化硅研磨的主要技术难点在于高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制,磨削后晶圆表面出现损伤、微裂纹和残余应力,碳化硅晶圆减薄后会产生比碳化硅晶圆更大的翘曲现象。

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碳化硅菲涅尔微结构的激光-超精密磨削工艺技术基础 - 百度学术

围绕碳化硅菲涅尔微结构这种典型硬脆复杂零件的高效高精度加工目标,本文开展了碳化硅的激光加工机理,菲涅尔微结构的激光成型工艺,菲涅尔微结构磨削波纹度等方面的理论和实验研究.本论文主要包含以下几个方面: (1)通过激光烧蚀环槽实验分析了红外亚纳秒 ... 碳化硅菲涅尔微结构的激光-超精密磨削工艺技术基础 - 百度学术围绕碳化硅菲涅尔微结构这种典型硬脆复杂零件的高效高精度加工目标,本文开展了碳化硅的激光加工机理,菲涅尔微结构的激光成型工艺,菲涅尔微结构磨削波纹度等方面的理论和实验研究.本论文主要包含以下几个方面: (1)通过激光烧蚀环槽实验分析了红外亚纳秒 ...

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磨削碳化硅生产技术

2021年2月27日  磨削碳化硅生产技术 《碳化硅陶瓷生产工艺》日期:无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计1产品简介.1碳化硅陶瓷的发展情况.碳化硅行业发展现状.11.2SiC结晶形态和晶体结构.21.3氮化硅陶瓷的用途。磨削碳化硅生产技术价格,厂家,图片,破碎机,上海昌磊机械 磨削碳化硅生产技术2021年2月27日  磨削碳化硅生产技术 《碳化硅陶瓷生产工艺》日期:无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计1产品简介.1碳化硅陶瓷的发展情况.碳化硅行业发展现状.11.2SiC结晶形态和晶体结构.21.3氮化硅陶瓷的用途。磨削碳化硅生产技术价格,厂家,图片,破碎机,上海昌磊机械

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超声辅助磨削碳化硅铝基复合材料 - 百度学术

超声辅助磨削碳化硅铝基复合材料. SiC颗粒含量50%以上的高体积分数碳化硅铝基复合材料 (SiCp/Al)不仅具有高比模量,低膨胀系数等优异性能,而且在热导率,密度,热变形系数等关键性指标上都优于一般的材料,并且在航天和军事领域得到了广泛的应用.但是由于高体积 ... 超声辅助磨削碳化硅铝基复合材料 - 百度学术超声辅助磨削碳化硅铝基复合材料. SiC颗粒含量50%以上的高体积分数碳化硅铝基复合材料 (SiCp/Al)不仅具有高比模量,低膨胀系数等优异性能,而且在热导率,密度,热变形系数等关键性指标上都优于一般的材料,并且在航天和军事领域得到了广泛的应用.但是由于高体积 ...

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大尺寸硅片超精密磨削技术和装备-大连理工大学科学技术研究 ...

2019年11月28日  该项目开发了2种大尺寸硅片超精密磨床、1种大尺寸硅片加工变形测量设备、系列化砂轮和磨削工艺,所开发的磨床、砂轮和磨削工艺的技术指标和加工效果达到国外同类先进产品的水平,满足规模化生产要求. 二、应用范围:. 本项目开发的硅片超精密磨床 ... 大尺寸硅片超精密磨削技术和装备-大连理工大学科学技术研究 ...2019年11月28日  该项目开发了2种大尺寸硅片超精密磨床、1种大尺寸硅片加工变形测量设备、系列化砂轮和磨削工艺,所开发的磨床、砂轮和磨削工艺的技术指标和加工效果达到国外同类先进产品的水平,满足规模化生产要求. 二、应用范围:. 本项目开发的硅片超精密磨床 ...

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碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案_发展_加工_的表面

2022年10月28日  SiC衬底不止贵,生产工艺还复杂,与硅相比,SiC很难处理。. SiC单晶衬底加工过程包括单晶多线切割、研磨、抛光、清洗最终得到满足外延生长的衬底片。. SiC是世界上硬度排名第三的物质,不仅具有高硬度的特点,高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工 碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案_发展_加工_的表面2022年10月28日  SiC衬底不止贵,生产工艺还复杂,与硅相比,SiC很难处理。. SiC单晶衬底加工过程包括单晶多线切割、研磨、抛光、清洗最终得到满足外延生长的衬底片。. SiC是世界上硬度排名第三的物质,不仅具有高硬度的特点,高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工

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一种磨削碳化硅晶体端面的方法及装置制造方法

2014年4月16日  在磨削过程中可以先把磨平的晶体取下来,其余未磨好的继续加工。. 1.一种磨削碳化硅晶体端面的方法,其特征在于:采用同一设备将至少两块的待磨削晶体同时定位,同时对砂轮修整装置同步定位,之后即可进行晶体的磨削。. 2.一种磨削碳化硅晶体端面的 一种磨削碳化硅晶体端面的方法及装置制造方法2014年4月16日  在磨削过程中可以先把磨平的晶体取下来,其余未磨好的继续加工。. 1.一种磨削碳化硅晶体端面的方法,其特征在于:采用同一设备将至少两块的待磨削晶体同时定位,同时对砂轮修整装置同步定位,之后即可进行晶体的磨削。. 2.一种磨削碳化硅晶体端面的

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半导体基片超精密磨削技术的研究现状与发展趋势 - 百度学术

单晶硅,碳化硅,氧化镓,氮化镓等半导体基片广泛应用于集成电路,功率器件和微传感器等半导体器件的制造.超精密磨削是半导体基片平整化加工和背面减薄加工的核心工艺技术,对半导体器件的加工效率及加工质量具有重要的影响.为了满足半导体器件的使用性能 ... 半导体基片超精密磨削技术的研究现状与发展趋势 - 百度学术单晶硅,碳化硅,氧化镓,氮化镓等半导体基片广泛应用于集成电路,功率器件和微传感器等半导体器件的制造.超精密磨削是半导体基片平整化加工和背面减薄加工的核心工艺技术,对半导体器件的加工效率及加工质量具有重要的影响.为了满足半导体器件的使用性能 ...

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知乎专栏 - 随心写作,自由表达 - 知乎

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碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 电子工程专辑 EE ...

2022年10月9日  针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。. 1、背景与意义. 作为半导体产业中的衬底材料,碳化硅单晶具有优异 ... 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 电子工程专辑 EE ...2022年10月9日  针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。. 1、背景与意义. 作为半导体产业中的衬底材料,碳化硅单晶具有优异 ...

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碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 - 腾讯网

2023年4月17日  碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势,满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求,主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件,下游应用领域包括智 能电网、新能源汽车、光伏风 ... 碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 - 腾讯网2023年4月17日  碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势,满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求,主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件,下游应用领域包括智 能电网、新能源汽车、光伏风 ...

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碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究 - 百度学术

摘要: 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛应用,但由于脆性大而在精密及超精密加工中难以达到良好的精度及表面质量,同时生产效率低,生产成本过高,而金刚石超精密磨削加工技术的发展使碳化硅陶瓷及 ... 碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究 - 百度学术摘要: 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛应用,但由于脆性大而在精密及超精密加工中难以达到良好的精度及表面质量,同时生产效率低,生产成本过高,而金刚石超精密磨削加工技术的发展使碳化硅陶瓷及 ...

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国内外砂带磨削技术的发展及应用_技术_涂附磨具网

2012年6月8日  摘要:本文探讨了国内外 砂带 磨削技术的发展与应用,介绍了国外堆积磨料砂带、多层磨粒砂带、空心球磨料砂带、第三涂层和特殊涂层砂带、 无纺布 砂带和金刚石与CBN磨料砂带等新型砂带技术,指出目前国内外 砂带磨削技术 向自动化、数控化和智能化 ... 国内外砂带磨削技术的发展及应用_技术_涂附磨具网2012年6月8日  摘要:本文探讨了国内外 砂带 磨削技术的发展与应用,介绍了国外堆积磨料砂带、多层磨粒砂带、空心球磨料砂带、第三涂层和特殊涂层砂带、 无纺布 砂带和金刚石与CBN磨料砂带等新型砂带技术,指出目前国内外 砂带磨削技术 向自动化、数控化和智能化 ...

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大尺寸硅片超精密磨削技术和装备-大连理工大学-科学技术研究院

2019年11月28日  大连理工大学科学技术研究院介绍了大尺寸硅片超精密磨削技术和装备的产品和技术简介,该技术和装备在集成电路制造中具有重要的应用价值和市场前景。该项目开发了两种不同的超精密磨削装备,分别适用于硅片的初始磨削和背面减薄,具有高效、高精、高稳的特点,已经实现了工业化生产和 ... 大尺寸硅片超精密磨削技术和装备-大连理工大学-科学技术研究院2019年11月28日  大连理工大学科学技术研究院介绍了大尺寸硅片超精密磨削技术和装备的产品和技术简介,该技术和装备在集成电路制造中具有重要的应用价值和市场前景。该项目开发了两种不同的超精密磨削装备,分别适用于硅片的初始磨削和背面减薄,具有高效、高精、高稳的特点,已经实现了工业化生产和 ...

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半导体行业专题研究报告:半导体切磨抛装备材料的国产化趋势

2023年3月2日  日本迪思科株式会社(DISCO Corporation)成立于 1937 年,是一家专注于“Kiru(切)、 Kezuru(磨)、Migaku(抛)”技术的全球知名半导体设备厂商。公司产品矩阵以切、磨、 抛为纵深,设备和工具横向扩张,产品主要包括:1)半导体设备:切割机、研磨机、抛 光机及其他用于半导体加工后道切割和 ... 半导体行业专题研究报告:半导体切磨抛装备材料的国产化趋势2023年3月2日  日本迪思科株式会社(DISCO Corporation)成立于 1937 年,是一家专注于“Kiru(切)、 Kezuru(磨)、Migaku(抛)”技术的全球知名半导体设备厂商。公司产品矩阵以切、磨、 抛为纵深,设备和工具横向扩张,产品主要包括:1)半导体设备:切割机、研磨机、抛 光机及其他用于半导体加工后道切割和 ...

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磨削碳化硅生产技术

2021年2月27日  碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究《东华大学 1 吴重军;碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究[D];东华大学;2017年 2 田霖;基于磨粒有序排布砂轮的高速磨削基础研究[D];南京航空航天大学;2013年 3 杨寿智;凸轮轴高速磨削加工质量影响因素分析及关键技术研究[D];湖南大学;2016年 4 磨削碳化硅生产技术2021年2月27日  碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究《东华大学 1 吴重军;碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究[D];东华大学;2017年 2 田霖;基于磨粒有序排布砂轮的高速磨削基础研究[D];南京航空航天大学;2013年 3 杨寿智;凸轮轴高速磨削加工质量影响因素分析及关键技术研究[D];湖南大学;2016年 4

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